電極構造

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a full bonding strength using lead-free solder, without depending on an underlying Ni layer. <P>SOLUTION: In an electrode structure 10, an Ni-plating layer 12 is formed on an underlying electrode base 11, and a Co thin film layer 13 is formed on the Ni-plating layer 12. A solder layer 20 is formed not on the Ni-plating layer 12 but on the Co thin film layer 13. A sample to be bonded 30 is bonded to the electrode structure 10 by means of the solder layer 20. The Co thin-film layer 13 has a thickness of approximately 10 to 800 nm, and the Co thin-film layer 13 of this thickness can be formed by a vapor deposition method or a sputtering method. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
【課題】鉛フリーはんだを用い、下地のNi層によらずに充分な接合強度を得る。 【解決手段】この電極構造10においては、電極下地11上に、Niめっき層12が形成されており、Niめっき層12上にCo薄膜層13が形成される。はんだ層20は、Niめっき層12上ではなく、Co薄膜層13上に形成される。このはんだ層20によって被接合試料30は、この電極構造10に接合される。Co薄膜層13は、10nm〜800nm程度の厚さであり、この厚さのCo薄膜層13は、蒸着法、スパッタリング法によって形成することができる。 【選択図】図1

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Patent Citations (3)

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    JP-2011071152-AApril 07, 2011Panasonic Corp, パナソニック株式会社半導体装置及びその製造方法
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