研磨方法及び研磨装置

Polishing method and apparatus

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing method and apparatus particularly suitable for performing surface-finish having desired flatness to the substrate of the compound semiconductor containing Ga element or the like, with which the surface of a substrate of the compound semiconductor containing, for example, the Ga element can be flattened with high surface precision within a practical machining time. <P>SOLUTION: In electrolytic ion water 232 in which weakly acidic water or air is dissolved, the surface of the substrate 142 made of the compound semiconductor containing one of Ga, Al and In, and the surface of a polishing pad 242 having an electrically conductive member 264 in at least the portion of the surface contacting the substrate 142 are relatively moved in contact with each other to polish the surface of the substrate 142. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
【課題】Ga元素等を含有する化合物半導体の基板に対する所望の平坦度を有する表面仕上げを行うのに特に適した研磨方法及び研磨装置を提供し、これによって、例えばGa元素を含有する化合物半導体の基板表面を実用的な加工時間で表面精度高く平坦に加工できるようにする。 【解決手段】弱酸性の水または空気が溶解した水、または電解イオン水232の中で、Ga,Al及びInのいずれかを含有する化合物半導体の基板142の表面と、表面の少なくとも基板142と接触する部位に導電性部材264を有する研磨パッド242の該表面とを互いに接触させつつ相対運動させて、基板142の表面を研磨する。 【選択図】図6

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