Method of manufacturing semiconductor device

半導体装置の製造方法

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a process of removing excessive deposite species which hinder a self-limiting surface reaction.SOLUTION: The method of manufacturing a semiconductor device includes a process of forming a thin film on a base body by alternately feeding a first raw material gas and a second raw material gas into a reaction furnace, wherein the surface of the base body is irradiated with plasma either after the first raw material gas is fed and before the second raw material gas is fed, or after the second raw material gas is fed and before the first raw material gas is fed.
【課題】セルフリミッティングな表面反応を阻害していた、余分な堆積種を除去する工程を設けた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】第1の原料ガスと、第2の原料ガスと、を反応炉内に交互に供給することにより基体の上に薄膜を形成する工程を備え、前記第1の原料ガスを供給した後であって前記第2の原料ガスを供給する前と、前記第2の原料ガスを供給した後であって前記第1の原料ガスを供給する前と、の少なくともいずれかにおいて、前記基体の表面にプラズマを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 【選択図】図1

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Patent Citations (3)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2003536272-ADecember 02, 2003ジニテック インク.薄膜形成方法
    JP-2004277864-AOctober 07, 2004Toshiba Corp, 株式会社東芝成膜方法及び成膜装置
    JP-2004536224-ADecember 02, 2004アイピーエス リミテッドIPS Ltd.薄膜蒸着用反応容器及びそれを利用した薄膜蒸着方法

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