誘電体膜の処理方法

Abstract

【課題】 【解決手段】エッチング動作後に基板の表面を洗浄するための方法およびシステムは、基板の表面に関連する複数のプロセスパラメータを決定することを含む。プロセスパラメータは、洗浄される基板表面、除去される汚染物質、基板上に形成されたフィーチャ、および、加工動作で用いられた化学剤の特徴など、基板の表面に関連する特徴を規定する。プロセスパラメータに基づいて、複数の供給化学剤が特定される。複数の供給化学剤は、第1の不混和液体および第2の不混和液体を混合し、第1の不混和液体内に固体粒子を分布させたエマルションとしての第1の供給化学剤を含む。第1の供給化学剤を含む複数の供給化学剤は、基板の表面に供給され、その結果、組み合わされた化学剤が、粒子汚染物質およびポリマ残留物汚染物質を基板の表面から実質的に除去しつつ、フィーチャ、および、フィーチャが形成される低誘電率材料の特性を保持することによって、洗浄処理を強化する。 【選択図】なし

Claims

Description

Topics

    Download Full PDF Version (Non-Commercial Use)

    Patent Citations (3)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      JP-2004094203-AMarch 25, 2004Ekc Technology Kk, Matsushita Electric Ind Co Ltd, Renesas Technology Corp, イーケーシー・テクノロジー株式会社, 松下電器産業株式会社, 株式会社ルネサステクノロジレジスト除去用洗浄液および半導体装置の製造方法
      JP-2007184599-AJuly 19, 2007Lam Res Corp, ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation基板洗浄方法および洗浄溶液
      JP-2008010610-AJanuary 17, 2008Sony Corp, ソニー株式会社Method of manufacturing semiconductor device

    NO-Patent Citations (0)

      Title

    Cited By (0)

      Publication numberPublication dateAssigneeTitle