Semiconductor device and method of operating the same

半導体装置およびその動作方法

Abstract

【課題】マックスパワーダウンモード(max power down mode)をサポートする半導体装置に関し、マックスパワーダウンモードの進入動作後に1つのバッファリング部のみを使用したとしても、マックスパワーダウンモードの脱出動作を可能にする半導体装置を提供する。 【解決手段】外部から入力される第1モード信号CSBをバッファリングする第1バッファリング部221と、第1バッファリング部221の出力信号ICSBに応答して活性化され、外部から入力される第2モード信号CKEをバッファリングする第2バッファリング部222とを備える。 【選択図】図2
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device for supporting a max power down mode, which allows escape operation of the max power down mode even if only one buffering part is used after the entry operation of the max power down mode.SOLUTION: A semiconductor device includes a first buffering part 221 which buffers a first mode signal CSB input from the outside, and a second buffering part 222 which is activated in response to an output signal ICSB of the first buffering part 221 and which buffers a second mode signal CKE input from the outside.

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Patent Citations (3)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    JP-2000163967-AJune 16, 2000Fujitsu Ltd, 富士通株式会社Semiconductor integrated circuit device
    JP-2002374164-ADecember 26, 2002Mitsubishi Electric Corp, 三菱電機株式会社半導体装置
    JP-2004253072-ASeptember 09, 2004Fujitsu Ltd, 富士通株式会社半導体装置及びその制御方法

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